کلاس یوس
درحال‌حاضر تولیدکنندگان حوزه نیمه‌رسانا درحال تقویت فرایندهای تولید 3 نانومتری خود هستند و از سویی دیگر، برای توسعه تراشه‌های 2 نانومتری با یکدیگر رقابت می‌کنند. حالا «پت گلسینگر»، مدیرعامل اینتل، مدعی شده است که فرایند 18A آینده این شرکت (در اصل 1.8 نانومتر) یک سال زودتر از تراشه‌های 2 نانومتری TSMC عرضه خواهد شد و عملکرد بهتری نسبت به رقیب خواهد داشت. TSMC قبلاً گفته بود که قصد دارد تولید انبوه تراشه‌های 2 نانومتری خود را از سال 2025 آغاز کند.
گلسینگر که سال 2021 مدیرعامل اینتل شد، در گفت‌وگو با هفته‌نامه بارونز (Barron’s)، صحبت‌های خود درباره رقابت با TSMC را این‌گونه آغاز می‌کند:
«هر زمان رقیبتان در مورد شما صحبت می‌کند، تأیید می‌کند که تا این مرحله به‌درستی پیش رفته‌اید. دو سال پیش هیچ‌کس عقیده نداشت که ما هم در این رقابت هستیم.»
صحبت‌های مدیرعامل اینتل درباره رقابت با TSMC
او در ادامه گفت:
«ما با فناوری 18A دو نوآوری بزرگ را معرفی کرده‌ایم: یک ترانزیستور جدید و یک سیستم توان بک‌ساید (Backside) جدید. فکر می‌کنم همه ترانزیستور TSMC N2 را در مقابل 18A ما قرار می‌دهند. هنوز مشخص نیست که کدام‌یک به‌طور چشمگیری بهتر از دیگری خواهد بود. اما در مورد سیستم توان بک‌ساید، همه معتقد هستند که اینتل برنده شده است. ما سال‌ها جلوتر هستیم. این سیستم بازده منطقه‌ای بهتری برای سیلیکون ارائه می‌کند که به‌معنای هزینه کمتر است. همچنین این سیستم انتقال قدرت بهتری ارائه می‌کند که این امر نیز به‌معنای عملکرد بهتر است.»
او سپس به‌عنوان نتیجه‌گیری افزود:
«بنابراین من یک ترانزیستور خوب و یک سیستم قدرت‌رسانی عالی دارم. فکر می‌کنم کمی جلوتر از N2، فناوری نسل بعدی TSMC هستم و فکر می‌کنم TSMC یک فناوری بسیار پرهزینه ارائه کرده است که اینتل به‌راحتی از نظر هزینه زیر آن قرار می‌گیرد تا حاشیه سود بیشتری داشته باشد.»
مدیرعامل اینتل در بخش دیگری از صحبت‌های خود گفت که هدف این شرکت ارائه یک جایگزین برای TSMC است که هم‌اکنون بر بازار نیمه‌هادی جهانی تسلط دارد. درواقع موفقیت اینتل برای ایالات‌متحده نیز پیامدهای مهمی را به‌همراه خواهد داشت؛ زیرا تنها شرکت آمریکایی است که توانایی و ظرفیت تولید انبوه تراشه‌ها را دارد.
TSMC به‌عنوان رهبر بازار، تراشه‌های 3 نانومتری پردازنده‌های آیفون 15 و M3 اپل را فراهم می‌کند. این شرکت ادعا کرده است که گره 3 نانومتری بهینه‌سازی‌شده آینده آن به نام N3P، از نظر عملکرد قدرتی قابل مقایسه با 18A اینتل ارائه خواهد کرد. غول تایوانی انتظار دارد N3P را در نیمه دوم سال 2024 به تولید انبوه برساند.
source